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29 Results:SS:SIO₂ 0.93 sec.
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PMMA기판에 CeO₂와 SiO₂를 코팅하여 제작한 적외선 차단필터
PMMA기판에 CeO₂와 SiO₂를 코팅하여 제작한 적외선 차단필터
유연석, | 한국광학회 | 2006 ,
2
Effect of a SiO₂buffer Layer on the Characteristics of In₂O₃-ZnO-SnO₂ Films Deposited on PET Substrates
Effect of a SiO₂buffer Layer on the Characteristics of In₂O₃-ZnO-SnO₂ Films Deposited on PET Substrates
B.J. Woo., | 한국물리학회 | 2006 ,
3
Fabrication of On-Chip Nanofluidic Channels by Using Sacrificial Photoresist Templated SiO₂ Sputter Deposition
Fabrication of On-Chip Nanofluidic Channels by Using Sacrificial Photoresist Templated SiO₂ Sputter Deposition
Sung-min Kang., | 한국물리학회 | 2006 ,
4
이원계 Sio₂ TiO₂ 박막의 저항 변화 특성
이원계 Sio₂ TiO₂ 박막의 저항 변화 특성
박인성, | 한국마이크로전자및 패키징학회 | 2006 ,
5
ZrO₂와 SiO₂절연막에 따른 Ru-Zr 금속 게이트 전극의 특성 비교
ZrO₂와 SiO₂절연막에 따른 Ru-Zr 금속 게이트 전극의 특성 비교
서현상, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
6
RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 SiO₂/Si(100)기판위에 성장시킨 ZnO 박막의 구조 및 광특성
RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 SiO₂/Si(100)기판위에 성장시킨 ZnO 박막의 구조 및 광특성
한석규, | 한국재료학회 | 2006 ,
7
급속열처리에 의한 SiO₂ 의 질화
급속열처리에 의한 SiO₂ 의 질화
정영철, 569.8-정64그-TM | 경북대학교 대학원 | 1989 569.8-정64그-TM,
8
High fт 30nm Triple-Gate In０.７GaAs HEMTs withDamage-Free SiO₂/SiNx Sidewall Process and BCB Planarization
High fт 30nm Triple-Gate In０.７GaAs HEMTs withDamage-Free SiO₂/SiNx Sidewall Process and BCB Planarization
Dae-Hyun Kim, Seong-Jin Yeon, Saegn-Sub Song, Jae, | 대한전자공학회 | 2004 ,
9
Anomalous Electric Conductivity for Insoluble SiO₂/Pb Films Prepared by Sputtering
Anomalous Electric Conductivity for Insoluble SiO₂/Pb Films Prepared by Sputtering
Byung-Geol Kim, | 대한금속.재료학회 | 2000 ,
10
X-선 회절법에 의한 소결광내의 칼슘페라이트 생성에 미치는 Al₂O₃, SiO₂ 및 MgO의 영향
X-선 회절법에 의한 소결광내의 칼슘페라이트 생성에 미치는 Al₂O₃, SiO₂ 및 MgO의 영향
박준현,조유정,윤성섭, | 대한금속.재료학회 | 2002 ,
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