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0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
한민. 김삼동, 이진구, | 대한전자공학회 | 2005 ,
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