서브메뉴
검색
0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화 / 한민. 김삼동, 이진구 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2005.
- 형태사항
- pp. 1-8
- 기타저자
- 한민. 김삼동, 이진구
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60047308
MARC
008050802s2005 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a0.1㎛ 이하의 게이트 길이를 갖는 Metamorphic High Electron Mobility Transistor의 모델링 및 구조 최적화▼d한민. 김삼동, 이진구 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2005.
■300 ▼app. 1-8
■653 ▼a0.1㎛▼a이하▼a게이트▼a길이▼aMETAMORPHIC▼aHIGH▼aELECTRON▼aMOBILITY▼aTRANSISTOR의▼a모델▼a구조▼a최적
■700 ▼a한민. 김삼동, 이진구
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제42권 제3호 (2005 3)▼d2005, 03
■SIS ▼aS011019▼b60014354▼h8▼s2
