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1
SiGe pMOSFET의 전기적 특성 분석
SiGe pMOSFET의 전기적 특성 분석
정학기, | 한국해양정보통신학회 | 2006 ,
2
Selective Epitaxial Growth of SiGe on a SOI Substrate by Using Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Deposition
Selective Epitaxial Growth of SiGe on a SOI Substrate by Using Ultra-High-Vacuum Chemical Vapor Deposition
Choi, Hoon, | 한국물리학회 | 2006 ,
3
Structure-related Characteristics of SiGe HBT and 2.4Ghz Down-conversion Mixer
Structure-related Characteristics of SiGe HBT and 2.4Ghz Down-conversion Mixer
Sang-Heung Lee., | 대한전자공학회 | 2006 ,
4
Growth of SiGe Film By Using A Single-wafer Rapid Thermal Processing UHV/CVD System
Growth of SiGe Film By Using A Single-wafer Rapid Thermal Processing UHV/CVD System
Wentao Huang, Changchun Chen, Xiyou Li, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
5
ICP(Inductively Coupled Plasma)처리에 따른 n-type SiGe/Metal contact의 SBH(Schottky Barrier Height) 연구
ICP(Inductively Coupled Plasma)처리에 따른 n-type SiGe/Metal contact의 SBH(Schottky Barrier Height) 연구
김이곤, 장호원, 전창민, 송영주, 강진영, | 대한금속.재료학회 | 2005 ,
6
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
박재근, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
7
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근, | 대한전자공학회 | 2004 ,
8
High Quality Partially Relaxed SiGe Film Grown on Silicon-on-Insulator Substrate by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition
High Quality Partially Relaxed SiGe Film Grown on Silicon-on-Insulator Substrate by Ultra-High Vacuum Chemical Vapor Deposition
Changchun Chen, Wentao Huang, Zhihiog Liu, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
9
SiGe BiCMOS 기술 : RF IC 기술-대특집
SiGe BiCMOS 기술 : RF IC 기술-대특집
심규환,송영주,민봉기,강진영, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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