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3 Results:SS:NMOSFET의 0.46 sec.
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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근, | 대한전자공학회 | 2004 ,
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STI구조를 갖는 nMOSFET의 채널 너비에 따른 Hot-Carrier 열화 현상에 관한 연구
STI구조를 갖는 nMOSFET의 채널 너비에 따른 Hot-Carrier 열화 현상에 관한 연구
이성원, 신형순, | 대한전자공학회 | 2003 ,
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낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작
낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작
최병용, 성석강, 이종덕, | 대한전자공학회 | 2001 ,
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