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낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작
낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작 / 최병용, 성석강, 이종덕 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2001.
- 형태사항
- pp. 9-16
- 기타저자
- 최병용, 성석강, 이종덕
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044012
MARC
008050713s2001 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a낮은 에너지의 As2+ 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작▼d최병용, 성석강, 이종덕 공저
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■700 ▼a최병용, 성석강, 이종덕
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제38권 제2호 (2001 2)▼d2001, 02
■SIS ▼aS009625▼b60014354▼h8▼s2
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