신경주학교 도서관

12 Results:SS:MOSFET의 0.140 sec.

STI 채널 모서리에서 발생하는 MOSFET의 험프 특성
김현호, 이천희, | 한국시뮬레이션학회 | 2002 ,

Capacitance - Voltage 방법을 이용한 mosfet의 유효 채널 길이 추출
김용구, 지희환, 한인식, 박성형, 이희덕, | 대한전자공학회 | 2004 ,

폴리 게이트의 양자효과에 의한 Double-Gate MOSFET의 특성 변화 연구
박지선, 이승준, 신형순, | 대한전자공학회 | 2004 ,

Gate-All-Around SOI MOSFET의 소자열화
최낙종, 유종근, 박종태, | 대한전자공학회 | 2003 ,

Evanescent-Mode를 이용한 MOSFET의 단채널 효과 분석
이지영, 신형순, | 대한전자공학회 | 2003 ,

Asymmetric Double-Gate MOSFET의 Subthreshold 특성 분석
이혜림, 신형순, | 대한전자공학회 | 2003 ,

실리콘 전력 MOSFET의 온도 과녈ㄴ 항복 전압과 ON 저항을 위한 해석적 표현
정용성, | 대한전자공학회 | 2003 ,

MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구
이성원, 이승준, 신형순, | 대한전자공학회 | 2002 ,

새로운 ERM-방법에 의한 미세구조 N-채널 MOSFET의 유효 캐리어 이동도와 소스 및 드레인 기생저항의 정확한 분리 추출
김현창, 조수동, 송상준, | 대한전자공학회 | 2000 ,

AL₂O₃절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조
김본근, 이석현, 이정희, | 대한전자공학회 | 2000 ,