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AL₂O₃절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조
AL₂O₃절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- AL₂O₃절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조 / 김본근, 이석현, 이정희 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 1-7
- 기타저자
- 김본근, 이석현, 이정희
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60043771
MARC
008050713s2000 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aAL₂O₃절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조▼d김본근, 이석현, 이정희 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2000.
■300 ▼app. 1-7
■653 ▼aAL₂O₃절연막을▼a게이트▼a절연▼a이용▼aN채널▼aGAAS▼aMOSFET의
■700 ▼a김본근, 이석현, 이정희
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제37권 제1호 (2000 1)▼d2000, 01
■SIS ▼aS009612▼b60014354▼h8▼s2
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