본문

  1. Home
9 Results:SS:의해 PP:대한전자공학회 0.124 sec.
RSS 
다국어입력
 상세검색
 신착검색
선택출력 선택엑셀내보내기
1
기약인 all-one 다항식에 의해 정의된 GF(2m)에서의 효율적인 비트 -병렬 곱셈기
기약인 all-one 다항식에 의해 정의된 GF(2m)에서의 효율적인 비트 -병렬 곱셈기
장구영, | 대한전자공학회 | 2006 ,
2
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕, | 대한전자공학회 | 2004 ,
3
ECR 산소 플라즈마에 의해 형성된 실리콘 산화막의 특성
ECR 산소 플라즈마에 의해 형성된 실리콘 산화막의 특성
강문상, | 대한전자공학회 | 2003 ,
4
유기금속화학기상증착법에 의해 증착된 구리 핵의 기판과 전처리의 의존성
유기금속화학기상증착법에 의해 증착된 구리 핵의 기판과 전처리의 의존성
곽성관, 이명재, 김동식, | 대한전자공학회 | 2002 ,
5
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
강근구, 장명준, 이원창, | 대한전자공학회 | 2002 ,
6
실리사이드 공정에 의해 제조된 아날로그용 다결정 실리콘 커패시터의 전기적 특성 변화
실리사이드 공정에 의해 제조된 아날로그용 다결정 실리콘 커패시터의 전기적 특성 변화
이재성, 이재곤, | 대한전자공학회 | 2001 ,
7
전자주입에 의해 야기되는 MOS 소자의 전류-전압 특성 분석
전자주입에 의해 야기되는 MOS 소자의 전류-전압 특성 분석
전현구, 최성우, 안병철, | 대한전자공학회 | 2000 ,
8
CMOS 게이트에 의해서 구동 되는 배선 회로 압축 기술
CMOS 게이트에 의해서 구동 되는 배선 회로 압축 기술
조경순, 이선영, | 대한전자공학회 | 2000 ,
9
전진선택법에 의해 선택된 부분 상관관계의 유전자들을 이용한 암 분류
전진선택법에 의해 선택된 부분 상관관계의 유전자들을 이용한 암 분류
유시호, 조성배, | 대한전자공학회 | 2004 ,
처음1마지막