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새로운 티타늄 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0.1㎛ ULSI급 소자의 특성연구
새로운 티타늄 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0.1㎛ ULSI급 소자의 특성연구
최금용, 오환술, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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