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 기사

ISSN  

12296368

서명/저자  

새로운 티타늄 실리사이드 형성공정과 STI를 이용한 서브 0.1㎛ ULSI급 소자의 특성연구 / 최금용, 오환술 공저

발행사항  

서울 : 대한전자공학회, 2002.

형태사항  

pp. 1-7

키워드  

새로운 실리 사이드 형성 STI를 이용 서브 0.1㎛ ULSI급 소자 특성 연구

기타저자  

최금용, 오환술

기본자료저록  

전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제39권 제5호 (2002 5) 2002, 05

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Control Number  

kjul:60044219