본문

  1. Home
2 Results:AA:이성재 PP:대한전자공학회 AA:장문규 AA:맹성렬 0.31 sec.
RSS 
다국어입력
 상세검색
 신착검색
선택출력 선택엑셀내보내기
1
초고속 구동을 위한 Ultra-thin Strained SGOI n-MOS 트랜지스터 제작
초고속 구동을 위한 Ultra-thin Strained SGOI n-MOS 트랜지스터 제작
맹성렬, | 대한전자공학회 | 2003 ,
2
Erbium 실리사이드를 이용하여 제작한 n- 형 쇼트키장벽 관통트랜지스터의 전기적 특성
Erbium 실리사이드를 이용하여 제작한 n- 형 쇼트키장벽 관통트랜지스터의 전기적 특성
장문규, | 대한전자공학회 | 2003 ,
처음1마지막