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Erbium 실리사이드를 이용하여 제작한 n- 형 쇼트키장벽 관통트랜지스터의 전기적 특성
Erbium 실리사이드를 이용하여 제작한 n- 형 쇼트키장벽 관통트랜지스터의 전기적 특성
상세정보
- 자료유형
- 기사
- 저자명
- 장문규
- 서명/저자
- Erbium 실리사이드를 이용하여 제작한 n- 형 쇼트키장벽 관통트랜지스터의 전기적 특성 / 장문규 , 강기천, 맹성렬, 조원주, 이성재 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 779-782
- 주기사항
- 참고문헌 수록
- 기타저자
- 강기천, 맹성렬, 조원주, 이성재
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60202809
MARC
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