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8 Results:AA:박성형 0.218 sec.
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고속 반도체 소자에 서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capaciyance 변화 분석
고속 반도체 소자에 서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Coupling Capaciyance 변화 분석
지희환, 한인식, 박성형, | 대한전자공학회 | 2005 ,
2
Capacitance - Voltage 방법을 이용한 mosfet의 유효 채널 길이 추출
Capacitance - Voltage 방법을 이용한 mosfet의 유효 채널 길이 추출
김용구, 지희환, 한인식, 박성형, 이희덕, | 대한전자공학회 | 2004 ,
3
Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성
Nano-scale PMOSFET에서 Plasma Nitrided Oixde에 대한 소자 특성의 의존성
한인식, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,
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고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가
고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가
이희덕, | 대한전자공학회 | 2003 ,
5
SOC를 위한 Digital CMOS 소자의 Analog Performance 개선
SOC를 위한 Digital CMOS 소자의 Analog Performance 개선
지희환, | 대한전자공학회 | 2003 ,
6
Capacitance-Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출
Capacitance-Voltage 방법을 이용한 MOSFET의 유효 채널 길이 추출
김용구, | 대한전자공학회 | 2003 ,
7
Nano-CMOS에서 Nisi Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
Nano-CMOS에서 Nisi Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
배미숙, | 대한전자공학회 | 2003 ,
8
Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
Nano CMOSFET에서 Channel Stress가 소자에 미치는 영향 분석
한인식, | 대한전자공학회 | 2006 ,
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