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반도체 : 0.12μm 설계 규칙을 갖는 DRAM 셀 주요 레이어의 OPC 및 PSM
반도체 : 0.12μm 설계 규칙을 갖는 DRAM 셀 주요 레이어의 OPC 및 PSM
박기천(Ki Chon Park), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
882
고전압 / 코로나 방전에 의한 Nox , So2 동시제거에서 첨가제의 영향
고전압 / 코로나 방전에 의한 Nox , So2 동시제거에서 첨가제의 영향
박재윤(Jae Yoon Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
883
전자세라믹스 / 분위기 소결공정에 의해 제조된 ZnO 세라믹 바리스터의 열화기구 연구
전자세라믹스 / 분위기 소결공정에 의해 제조된 ZnO 세라믹 바리스터의 열화기구 연구
소순진(Soon Jin So), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
884
고전압 / Salt fog 시험법에 의한 실리콘 고무의 표면 열화 및 발수성 회복 특성
고전압 / Salt fog 시험법에 의한 실리콘 고무의 표면 열화 및 발수성 회복 특성
김정호(J . H . Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
885
초전도 자성체 / 고온초전도 선재용 피복합금의 열전도도 측정 및 특성평가
초전도 자성체 / 고온초전도 선재용 피복합금의 열전도도 측정 및 특성평가
박형상(Hyung Sang Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
886
전자세라믹스 / 다층구조 InSb 홀소자의 제작과 특성
전자세라믹스 / 다층구조 InSb 홀소자의 제작과 특성
이우선(Woo Sun Lee), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
887
반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
반도체 / 완화된 또는 응력변형을 겪는 Ge 과 Ge0.8Sn0.2 에서 전자와 정공의 상태밀도 유효질량과 전도도 유효질량
박일수(Il Soo Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
888
Comparison between Bi-superconducting Thin Films Fabricated by Co-Deposition and Layer-by-Layer Deposition
Comparison between Bi-superconducting Thin Films Fabricated by Co-Deposition and Layer-by-Layer Deposition
Sung Ho Yang, | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
889
디스플레이 광소자 / 비정질 칼코게나이드 As-Ge-Se-S 박막에서 편광기록 및 재생
디스플레이 광소자 / 비정질 칼코게나이드 As-Ge-Se-S 박막에서 편광기록 및 재생
장선주(Sun Joo Jang), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
890
ZnS 형광체 분말의 결정결함에 따른 발광특성연구
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박용규(Yong Kyu Park), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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