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논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
송영주 ( Song Yeong Ju ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
362
논문 : 디스플레이 ; 유전율 이방성이 음인 액정을 이용한 Fringe-Field Switching mode의 cell gap 변화에 따른 전기광학 특성
논문 : 디스플레이 ; 유전율 이방성이 음인 액정을 이용한 Fringe-Field Switching mode의 cell gap 변화에 따른 전기광학 특성
정송희 ( Jeong Song Hui ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
363
유리 / 실리콘 기판 직접 접합에서의 세정과 열처리 효과
유리 / 실리콘 기판 직접 접합에서의 세정과 열처리 효과
민홍석(Hong Seok Min), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
364
논문 : 반도체 ; 열처리 방법에 따른 이종절연층 실리콘 기판쌍의 직접접합
논문 : 반도체 ; 열처리 방법에 따른 이종절연층 실리콘 기판쌍의 직접접합
송오성 ( Song O Seong ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
365
절연막층의 플라즈마 산화시간에 따른 CoFe/AIO/CoFe/NiFe 구조의 터널자기저항 효과 연구
절연막층의 플라즈마 산화시간에 따른 CoFe/AIO/CoFe/NiFe 구조의 터널자기저항 효과 연구
송오성(Oh Sung Song), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
366
고전압 : 가속열화 방법에 의한 주상변압기 절연물의 열 열화 특성 평가
고전압 : 가속열화 방법에 의한 주상변압기 절연물의 열 열화 특성 평가
이병성 ( Lee Byeong Seong ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
367
Bi2-xAuxSr2CaCu2O8+δ ( x = 0 ~ 0.15 ) 산화물고온초전도체의 Bi 위치에 Au 혼합효과
Bi2-xAuxSr2CaCu2O8+δ ( x = 0 ~ 0.15 ) 산화물고온초전도체의 Bi 위치에 Au 혼합효과
이민수(Min Soo Lee), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
368
센서,기능성박막 : 광 다이오드를 가진 Microfluidic LOC 시스템 제작
센서,기능성박막 : 광 다이오드를 가진 Microfluidic LOC 시스템 제작
김현기 ( Kim Hyeon Gi ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
369
선형가열기를 이용한 Si∥SiO2/Si3N4∥Si 이종기판쌍의 직접접합
선형가열기를 이용한 Si∥SiO2/Si3N4∥Si 이종기판쌍의 직접접합
이상현(Sang Hyun Lee), | 한국전기전자재료학회 | 2002 ,
370
전자세라믹 : 고분자 압전필름을 이용한 BAW 공진기의 주파수 특성에 관한 연구
전자세라믹 : 고분자 압전필름을 이용한 BAW 공진기의 주파수 특성에 관한 연구
정영학 ( Jeong Yeong Hag ), | 한국전기전자재료학회 | 2003 ,
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