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논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 논문 : 반도체 ; 저온 래디컬 산화법에 의한 고품질 초박막 게이트 산화막의 성장과 이를 이용한 고성능 실리콘-게르마늄 이종구조 CMOS의 제작 / 송영주 ( Song Yeong Ju ) , 김상훈 ( Kim Sang Hun ) , 이내응 ( Lee Nae Eung ) , 강진영 ( Kang Jin Yeong ) , 심규환 ( Sim Gyu Hwan ) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 765-770
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234512
MARC
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