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759 Results:AA:S -Y OH 0.453 sec.
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반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
엄금용(Gum Young Eom), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
272
프렉탈을 이용한 ZnO 바리스터 표면 구조 및 전기적 특성
프렉탈을 이용한 ZnO 바리스터 표면 구조 및 전기적 특성
오수홍(Soo Hong Oh), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
273
반도체 : 분무합성법으로 제작한 α - Ga2S3 및 α - Ga2S3 : Co2+ 박막의 광학적 특성
반도체 : 분무합성법으로 제작한 α - Ga2S3 및 α - Ga2S3 : Co2+ 박막의 광학적 특성
김형곤(Hyung Gon Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
274
반도체 : α - In2Se3 단결정의 전기전도도 특성 연구
반도체 : α - In2Se3 단결정의 전기전도도 특성 연구
김형곤(Hyung Gon Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
275
반도체 : β - FeSi2 단결정의 전기적 광학적인 특성
반도체 : β - FeSi2 단결정의 전기적 광학적인 특성
김남오(Nam Oh Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
276
전자세라믹스 : Pb(La,Ce)TiO3 계 세라믹스의 길이와 두께비 ( lℓ / t ) 에 따른 공진특성
전자세라믹스 : Pb(La,Ce)TiO3 계 세라믹스의 길이와 두께비 ( lℓ / t ) 에 따른 공진특성
민석규(Suk Kyu Min), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
277
반도체 : 유도 결합 플라즈마를 이용한 CeO2 박막의 식각 메커니즘
반도체 : 유도 결합 플라즈마를 이용한 CeO2 박막의 식각 메커니즘
오창석(Chang Seok Oh), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
278
반도체 : HoSi2 소결체의 전기적 특성 연구
반도체 : HoSi2 소결체의 전기적 특성 연구
이우선(Woo Sun Lee), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
279
디스플레이 광소지 : PVK : Bu - PBD : C6 단일층 녹색발광소자의 양자효율 개선에 관한 연구
디스플레이 광소지 : PVK : Bu - PBD : C6 단일층 녹색발광소자의 양자효율 개선에 관한 연구
조재영(Jae Young Cho), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
280
Bi-2223 초전도선재의 상전도 및 초전도 - 접합부 특성평가
Bi-2223 초전도선재의 상전도 및 초전도 - 접합부 특성평가
김정호(Jung Ho Kim), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
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