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반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구
반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관...
반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구

상세정보

자료유형  
 기사
ISSN  
12267945
저자명  
엄금용(Gum Young Eom)
서명/저자  
반도체 / STI 를 이용한 서브 0.1㎛ VLSI CMOS 소자에서의 초박막 게이트산화막의 박막개선에 관한 연구 / 엄금용(Gum Young Eom) , 오환술(Hwan Sool Oh) 공저
발행사항  
서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
형태사항  
pp. 729-734
주기사항  
참고문헌수록
기타저자  
오환술(Hwan Sool Oh)
기본자료저록  
전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic : 제13권 제9호 (2000년 9월) 2000, 09
원문정보  
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모체정보확인
Control Number  
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MARC

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