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SiGe pMOSFET의 전기적 특성 분석
SiGe pMOSFET의 전기적 특성 분석
정학기, | 한국해양정보통신학회 | 2006 ,
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ICP(Inductively Coupled Plasma)처리에 따른 n-type SiGe/Metal contact의 SBH(Schottky Barrier Height) 연구
ICP(Inductively Coupled Plasma)처리에 따른 n-type SiGe/Metal contact의 SBH(Schottky Barrier Height) 연구
김이곤, 장호원, 전창민, 송영주, 강진영, | 대한금속.재료학회 | 2005 ,
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나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
나노 스케일 C-MOS FET에 적용되는 완충된 SiGe층 위에 성장된 나노스케일 변위 실리콘층을 가지는 soi c-mosfet 제작
박재근, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근, | 대한전자공학회 | 2004 ,
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SiGe BiCMOS 기술 : RF IC 기술-대특집
SiGe BiCMOS 기술 : RF IC 기술-대특집
심규환,송영주,민봉기,강진영, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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