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반도체 / ECR 을 이용한 SF6/O2 가스 플라즈마에 의한 ITO 의 식각 특성 연구
반도체 / ECR 을 이용한 SF6/O2 가스 플라즈마에 의한 ITO 의 식각 특성 연구
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 / ECR 을 이용한 SF6/O2 가스 플라즈마에 의한 ITO 의 식각 특성 연구 / 권광호(Kwang Ho Kwon) , 강승열(Seung Youl Kang) , 김곤호(Gon Ho Kim) , 염근영(Gon Young Yeom) 공저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2000.
- 형태사항
- pp. 563-567
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60235188
MARC
008191015s2000 ulk aa kor■022 ▼a12267945
■1001 ▼a권광호(Kwang Ho Kwon)
■24510▼a반도체 / ECR 을 이용한 SF6/O2 가스 플라즈마에 의한 ITO 의 식각 특성 연구▼d권광호(Kwang Ho Kwon)▼e강승열(Seung Youl Kang) , 김곤호(Gon Ho Kim) , 염근영(Gon Young Yeom) 공저
■260 ▼a서울▼b한국전기전자재료학회▼c2000.
■300 ▼app. 563-567
■500 ▼a참고문헌수록
■7001 ▼a강승열(Seung Youl Kang) , 김곤호(Gon Ho Kim) , 염근영(Gon Young Yeom)
■773 ▼t전기전자재료학회논문지(Journal of the korean Institute and Electronic▼g제13권 제7호 (2000년 7월)▼d2000, 07
■856 ▼uhttp://www.kieeme.or.kr
■SIS ▼aS014425▼b60055323▼h8▼s2▼fP
