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반도체 : 게이트 산화막 어닐링을 이용한 서브 마이크론 PMOS 트랜지스터의 NBTI 향상
반도체 : 게이트 산화막 어닐링을 이용한 서브 마이크론 PMOS 트랜지스터의 NBTI 향상
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12267945
- 서명/저자
- 반도체 : 게이트 산화막 어닐링을 이용한 서브 마이크론 PMOS 트랜지스터의 NBTI 향상 / 김영민 ( Young Min Kim ) 저
- 발행사항
- 서울 : 한국전기전자재료학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 181-185
- 주기사항
- 참고문헌수록
- 원문정보
- url
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60234780
MARC
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