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도서명 :
반도체 : 게이트 산화막 어닐링을 이
용한 서브 마이크론 PMOS 트랜지스터의 NBTI 향상
저 자 :
김영민 ( Young Min Kim )
청구기호 :
소장처 :
참고자료실(관광학관2층)
대출요구사항 :
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