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PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰 / 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 21
- 키워드
- PMOSFET에서 HOT CARRIER LIFETIME은 HOLE INJECTION에 의해 지배적 이며 NANOSCALE CMOSFET에서의 NMOSFET에 강화 PMOSFET 관찰
- 기타저자
- 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60047166
MARC
008050801s2004 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aPMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰▼d나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2004.
■300 ▼app. 21
■653 ▼aPMOSFET에서▼aHOT▼aCARRIER▼aLIFETIME은▼aHOLE▼aINJECTION에▼a의해▼a지배적▼a이며▼aNANOSCALE▼aCMOSFET에서의▼aNMOSFET에▼a강화▼aPMOSFET▼a관찰
■700 ▼a나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제41권 제7호 (2004 7)▼d2004, 07
■SIS ▼aS010751▼b60014354▼h8▼s2
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