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PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
Detailed Information
- Material Type
- 기사
- ISSN
- 12296368
- Title/Author
- PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰 / 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕 공저
- Publish Info
- 서울 : 대한전자공학회, 2004.
- Material Info
- pp. 21
- Index Term-Uncontrolled
- PMOSFET에서 HOT CARRIER LIFETIME은 HOLE INJECTION에 의해 지배적 이며 NANOSCALE CMOSFET에서의 NMOSFET에 강화 PMOSFET 관찰
- Added Entry-Personal Name
- 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60047166
MARC
008050801s2004 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aPMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰▼d나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕 공저
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제41권 제7호 (2004 7)▼d2004, 07
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