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PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- PMOSFET에서 Hot Carrier Lifetime은 Hole injection에 의해 지배적이며, Nano-Scale CMOSFET에서의 NMOSFET에 비해 강화된 PMOSFET 열화 관찰 / 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2004.
- 형태사항
- pp. 21
- 키워드
- PMOSFET에서 HOT CARRIER LIFETIME은 HOLE INJECTION에 의해 지배적 이며 NANOSCALE CMOSFET에서의 NMOSFET에 강화 PMOSFET 관찰
- 기타저자
- 나준희, 최서윤, 김용구, 이희덕
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60047166
MARC
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