MARC

 008050801s2004        ULKa    a                          KOR
■022    ▼a12296368
■245    ▼a박막  게이트  산화막을  갖는  n-MOSFET에서  SILC  및  Soft  Breakdown  열화동안  나타나는  결함  생성▼d이재성  저
■260    ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2004.
■300    ▼app.  1
■653    ▼a박막▼a게이트▼a산화▼aNMOSFET에서▼aSILC▼aSOFT▼aBREAKDOWN▼a열화▼a동안▼a나타▼a결함▼a생성
■700    ▼a이재성
■773    ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor  and  Devices)  :  반도체▼g제41권  제8호  (2004  8)▼d2004,  08
■SIS    ▼aS010821▼b60014354▼h8▼s2

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