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 008050801s2004        ULKa    a                          KOR
■022    ▼a12296368
■245    ▼a70  nm  T-게이트를  갖는  InGaAs/InAlAs/GaAs  metamorphic  HEMT  소자의  제작  및  특성▼d김성찬,  임병옥,  백태종,  고백석,  신동훈,  이진구  공저
■260    ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2004.
■300    ▼app.  19
■653    ▼a70▼aNM▼aT게이트를▼aINGAASINALASGAAS▼aMETAMORPHIC▼aHEMT▼a소자
■700    ▼a김성찬,  임병옥,  백태종,  고백석,  신동훈,  이진구
■773    ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor  and  Devices)  :  반도체▼g제41권  제9호  (2004  9)▼d2004,  09
■SIS    ▼aS010822▼b60014354▼h8▼s2

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