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도서명 :
70 nm T-게이트를 갖는 InGa
As/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
저 자 :
김성찬, 임병옥, 백태종, 고백석, 신동훈, 이진구
청구기호 :
소장처 :
참고자료실(관광학관2층)
대출요구사항 :
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