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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strain...
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향 / 백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2004.
형태사항  
pp. 1
키워드  
STRAINED SIRELAXED SIGESIO2SI 구조 FD NMOSFET의 전자 MOLE FRACTION과 두께
기타저자  
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제41권 제10호 (2004 10) 2004, 10
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60047102

MARC

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