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도서명 :
Strained Si/Relaxed
SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
저 자 :
백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근
청구기호 :
소장처 :
참고자료실(관광학관2층)
대출요구사항 :
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