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Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
Strained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향
상세정보
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008050801s2004 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aStrained Si/Relaxed SiGe/SiO2/Si 구조 FD n-MOSFET의 전자이동도에 Ge mole fraction과 strained Si 층 두께가 미치는 영향▼d백승혁, 심태헌, 문준석, 차원준, 박재근 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2004.
■300 ▼app. 1
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제41권 제10호 (2004 10)▼d2004, 10
■SIS ▼aS010858▼b60014354▼h8▼s2
