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Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
상세정보
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용 / 오순영, 윤장근, 박영호 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 1-9
- 기타저자
- 오순영, 윤장근, 박영호
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044558
MARC
008050719s2003 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aCobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용▼d오순영, 윤장근, 박영호 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300 ▼app. 1-9
■653 ▼aCOBALT▼aINTERLAYER와▼aCAPPING를▼a새로운▼a구조▼aNISILICIDE▼aNANO▼aCMOS에의
■700 ▼a오순영, 윤장근, 박영호
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제40권 제12호 (2003 12)▼d2003, 12
■SIS ▼aS010527▼b60014354▼h8▼s2
