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Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- Cobalt Interlayer와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용 / 오순영, 윤장근, 박영호 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2003.
- 형태사항
- pp. 1-9
- 기타저자
- 오순영, 윤장근, 박영호
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044558
MARC
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