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STI구조를 갖는 nMOSFET의 채널 너비에 따른 Hot-Carrier 열화 현상에 관한 연구
STI구조를 갖는 nMOSFET의 채널 너비에 따른 Hot-Carrier 열화 현상에 관한 연구
상세정보
MARC
008050718s2003 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼aSTI구조를 갖는 nMOSFET의 채널 너비에 따른 Hot-Carrier 열화 현상에 관한 연구▼d이성원, 신형순 공저
■260 ▼a서울▼b대한전자공학회▼c2003.
■300 ▼app. 8-13
■653 ▼aSTI구조를▼aNMOSFET의▼a채널▼a너비▼aHOTCARRIER▼a현상
■700 ▼a이성원, 신형순
■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제40권 제9호 (2003 9)▼d2003, 09
■SIS ▼aS010453▼b60014354▼h8▼s2


