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코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
Detailed Information
- 자료유형
- 기사
- ISSN
- 12296368
- 서명/저자
- 코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도 / 강근구, 장명준, 이원창 공저
- 발행사항
- 서울 : 대한전자공학회, 2002.
- 형태사항
- pp. 25-34
- 기타저자
- 강근구, 장명준, 이원창
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044310
MARC
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■773 ▼t전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체▼g제39권 제10호 (2002 10)▼d2002, 10
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