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코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
Detailed Information
- Material Type
- 기사
- ISSN
- 12296368
- Title/Author
- 코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도 / 강근구, 장명준, 이원창 공저
- Publish Info
- 서울 : 대한전자공학회, 2002.
- Material Info
- pp. 25-34
- Index Term-Uncontrolled
- 코발트 실리 사이드 접합 사용 0.15㎛ CMOS TECHNOLOGY에서 누설 전류 분석 의해 발생 SCHOTTKY CONTACT 면적 유도
- Added Entry-Personal Name
- 강근구, 장명준, 이원창
- 모체레코드
- 모체정보확인
- Control Number
- kjul:60044310
MARC
008050714s2002 ULKa a KOR■022 ▼a12296368
■245 ▼a코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도▼d강근구, 장명준, 이원창 공저
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