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0.18㎛ CMOS Technolngy에서 인터커넥트 라인에 의한 지연시간의 게이트 폭에 대한 의존성 분석
0.18㎛ CMOS Technolngy에서 인터커넥트 라인에 의한 지연시간의 게이트 폭에 대한 의존성 분석 ...
0.18㎛ CMOS Technolngy에서 인터커넥트 라인에 의한 지연시간의 게이트 폭에 대한 의존성 분석

Detailed Information

자료유형  
 기사
ISSN  
12296368
서명/저자  
0.18㎛ CMOS Technolngy에서 인터커넥트 라인에 의한 지연시간의 게이트 폭에 대한 의존성 분석 / 장명준, 이희덕 공저
발행사항  
서울 : 대한전자공학회, 2000.
형태사항  
pp. 1-8
키워드  
0.18㎛ CMOS TECHNOLNGY에서 라인 지연 게이트 대한 의존성
기타저자  
장명준, 이희덕
기본자료저록  
전자공학회논문지SD(Semiconductor and Devices) : 반도체 : 제37권 제11호 (2000 11) 2000, 11
모체레코드  
모체정보확인
Control Number  
kjul:60043957

MARC

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