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Body의 部分的 P doping을 利用한 gate-recessed SOI의 降伏電壓 向上
Body의 部分的 P doping을 利用한 gate-recessed SOI의 降伏電壓 向上
상세정보
- 자료유형
- 학위논문
- 청구기호
- 558.35 이`85b
- 저자명
- 이충근
- 서명/저자
- Body의 部分的 P doping을 利用한 gate-recessed SOI의 降伏電壓 向上 / 李忠根 著.
- 발행사항
- 경기 : 韓國航空大學校 大學院, 1998.
- 형태사항
- iv, 47 p. : 삽도 ; 26 cm.
- 학위논문주기
- 학위논문(석사) - 韓國航空大學校 大學院 : 航空電子工學, 1998.
- 서지주기
- 권두 국문초록 및 권말 참고문헌, 영문초록 수록.
- 가격
- 비매품
- Control Number
- kjul:40014746
MARC
008010831s1998 ggka 000 kor■035 ▼aKRIC07162569
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