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  • 도서명 : Body의 部分的 P doping을
    利用한 gate-recessed SOI의 降伏電壓 向上
  • 저 자 : 이충근
  • 청구기호 : 558.35-이`85b-TM
  • 소장처 :참고자료실(관광학관2층)
  • 대출요구사항 :