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5 Results:SS:SUBMICRON 0.31 sec.
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Trade-off Characteristic between Gate Length Margin and Hot Carrier Lifetime by Considering ESD on NMOSFETs of Submicron Technology
Trade-off Characteristic between Gate Length Margin and Hot Carrier Lifetime by Considering ESD on NMOSFETs of Submicron Technology
Bong-Kyu Joung, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,
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Deep Submicron 공정의 멀티미디어 SoC를 위한 저전력 움직임 추정기 아키텍쳐
Deep Submicron 공정의 멀티미디어 SoC를 위한 저전력 움직임 추정기 아키텍쳐
연규성, 전치훈, 황태진, 이성수, 위재경, | 대한전자공학회 | 2004 ,
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Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
Deep Submicron MOSFET 기판회로 파라미터의 바이어스 및 게이트 길이 종속 데이터 추출
이용택, 최문성, 구자남, 이성현, | 대한전자공학회 | 2004 ,
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Net Shape Formation of Sub-Micron Aluniba with Reduced Flaws by High-Speed Centrifugal Comoaction Process
Net Shape Formation of Sub-Micron Aluniba with Reduced Flaws by High-Speed Centrifugal Comoaction Process
Hiriyuki Y. Suzuki, Hidenori Kuroki, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,
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The Physics of Submicron Structures
The Physics of Submicron Structures
Grubin, H L, 429.12-G885p | Plenum | 1984 429.12-G885p,
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