본문

  1. Home
8 Results:SS:SCHOTTKY 0.109 sec.
RSS 
다국어입력
 상세검색
 신착검색
선택출력 선택엑셀내보내기
1
전달 행렬 방법을 이용한 Schottky 다이오드 자외선 광검출기의 물질특성 추출과 설계
전달 행렬 방법을 이용한 Schottky 다이오드 자외선 광검출기의 물질특성 추출과 설계
김진형, | 대한전자공학회 | 2006 ,
2
Schottky Diode를 이용한 Six-port 용 L/Ku-band 광대역 Power detector 설계 제작
Schottky Diode를 이용한 Six-port 용 L/Ku-band 광대역 Power detector 설계 제작
김영완, | 한국해양정보통신학회 | 2006 ,
3
High Dose ６０Co r-Ray Irradiation of W/GaN Schottky Diodes
High Dose ６０Co r-Ray Irradiation of W/GaN Schottky Diodes
Jihyun Kim, F. Ren, D. Schoenfeld, S. J. Pearton,, | 대한전자공학회 | 2004 ,
4
Novel Properties of Erbium-Silicided N-Type Schottky Barrier Metal-Oxide -Semiconductor Field-Effect Transistors
Novel Properties of Erbium-Silicided N-Type Schottky Barrier Metal-Oxide -Semiconductor Field-Effect Transistors
Moongyu Jang, Yakyeon Kim, Jaeheon Shin, Seongjae, | 대한전자공학회 | 2004 ,
5
Schottky Barrier MOSFEETs with High Current Drivability for Nano-regime Applications
Schottky Barrier MOSFEETs with High Current Drivability for Nano-regime Applications
Moongyu Jang, Yarkyeon Kim, Myungsim Jun, Cheljon, | 대한전자공학회 | 2006 ,
6
Schottky barrier height의 온도의존성에 관한 연구
Schottky barrier height의 온도의존성에 관한 연구
심성엽, 421.7-심53s-TM | 영남대학교 대학원 | 1994 421.7-심53s-TM,
7
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
강근구, 장명준, 이원창, | 대한전자공학회 | 2002 ,
8
초절전형 Schottky barrier rectifier의 제조 및 그 특성
초절전형 Schottky barrier rectifier의 제조 및 그 특성
김준식, 최형호, 박근용, | 대한전자공학회 | 2002 ,
처음1마지막