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4 Results:SS:PHASE PP:대한전자공학회 0.62 sec.
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Fabrication of p-type FinFETs with a 20nm Gate Length using Boron Solid Phase Diffusion Process
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Won Ju Cho, | 대한전자공학회 | 2006 ,
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PBG를 이용한 Oscillator의 Phase Reduction에 관한 연구
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오익수, 서철헌, | 대한전자공학회 | 2005 ,
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Hydride Vapor Phase Epitaxy 법으로 성장된 Free-Syanding GaN 기판의 특성에 관한 연구
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김화목, 최준성, 오재응, | 대한전자공학회 | 2000 ,
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2D/3D Time-of-Flight, Phase Contrast 그리고 Contrast Enhanced 자기 공명 혈관조영기법에 관한 연구
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이윤, 최정환, 박승훈, 김시승, | 대한전자공학회 | 2003 ,
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