신경주학교 도서관

4 Results:SS:MOCVD 0.31 sec.

Mo/siO₂/Si(100)기판위에 mocvd 법으로 성장시킨 ain 박막이용GHz대역의 fbar 제작에 관한 연구
양충모, | 한국조명전기설비학회 | 2006 ,

Co₂(CO)8 (Dicobalt Octacarbony1)전구체를 이용한 MOCVD Co 박막의 균일한 증착 특성 및 높은 순도에 관한 연구
이정길, | 한국재료학회 | 2006 ,

Time Evolution of a High temperature GaN Epilayer Grown on a Low-temperature GaN Buffer Layer using a Low-pressure MOCVD
Kyunghwa Chang, | 한국전기전자재료학회 | 2007 ,

Effects of Thermal Contact Resistance on Film Growth Rate in a Horizontal MOCVD Reactor
Ik-Tae Im, Nag Jung Choi, Masakazu Sugiyame, Yosh, | 대한기계학회 | 2005 ,