신경주학교 도서관

9 Results:SS:INGAAS 0.109 sec.

A 10-Gb/s Planar InGaAs/InP Avalanche Photodiode with a Thin Multiplication Layer Fabricated by Using Recess-Etching and Single-Diffusion Processes
Sungmin Hwang., | 한국물리학회 | 2006 ,

InGaAs Nano-HEMT Devices for Milimeter-wave MMICs
Sung-Won Kim., | 대한전자공학회 | 2006 ,

Pd/Ge(or Si)/Pd/Ti/Au Ohmic Contacts to n-type InGaAs for AlGaAs/GaAs HBTs
Il-Ho Kim, | 대한금속.재료학회 | 2004 ,

70 nm T-게이트를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자의 제작 및 특성
김성찬, 임병옥, 백태종, 고백석, 신동훈, 이진구, | 대한전자공학회 | 2004 ,

1.55㎛ 진행파형 CPW InGaAsP Photodetector
윤영설, 강태구, 이정훈, | 대한전자공학회 | 2002 ,

InGaAs/InAlAs 다중 양자우물을 이용한 표면 반사형 전광 스위치의 해석
최용호, 김경환, 최우영, | 대한전자공학회 | 2000 ,

1.55㎛ InGaAsP/InGaAsP 다중양자우물구조 전계흡수형 광변조기에서 캐리어 수송현상이 소광특성에 미치는 영향
심종인, 어영선, | 대한전자공학회 | 2000 ,

고밀도 파장분할다중 네트워크 응용을 위한 Quaternary InGaAsP 다중양자우물 QCSSE 다중 채널원
송주빈, | 대한전자공학회 | 2004 ,

InGaAs/GaAs 박막의 임계두께와 굴절률의 이방성
이성수, | 대한금속.재료학회 | 2001 ,