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2 Results:SS:FET의 0.31 sec.
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선택적 분자선 에피택시 방법에 의한 1D-2DEG 혼성 나노선 FET의 구현
선택적 분자선 에피택시 방법에 의한 1D-2DEG 혼성 나노선 FET의 구현
김윤주, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
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부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가
부분 채널도핑된 GaAs계 이중이종접합 전력 FET의 선형성 증가
김우석, 김상섭, 정윤하, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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