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9 Results:SS:비휘발성 0.78 sec.
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차세대 비휘발성 메모리 소자를 위한 상변하 메모리(chase change memory)기술의 특징 및 발전 방향
차세대 비휘발성 메모리 소자를 위한 상변하 메모리(chase change memory)기술의 특징 및 발전 방향
조만호, | 대한전자공학회 | 2006 ,
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차세대 비휘발성 메모리를 이용한 플래시 메모리 파일시스템의 개선
차세대 비휘발성 메모리를 이용한 플래시 메모리 파일시스템의 개선
김기홍, | 한국정보과학회 | 2006 ,
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비휘발성 메모리 파일 시스템 설계와 공간 효율성 분석
비휘발성 메모리 파일 시스템 설계와 공간 효율성 분석
현철승, | 한국정보과학회 | 2006 ,
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FTL(Flash Translation Layer)을 위한 비휘발성 메모리 기반 쓰기 버퍼의 활용
FTL(Flash Translation Layer)을 위한 비휘발성 메모리 기반 쓰기 버퍼의 활용
박성민, | 한국정보과학회 | 2006 ,
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비휘발성 메모리의 공간적 효율성을 고려한 파일 시스템의 설계 및 구현
비휘발성 메모리의 공간적 효율성을 고려한 파일 시스템의 설계 및 구현
현철승, | 한국정보과학회 | 2006 ,
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염도를 달리한 무우 김치 (동치미,짠지)의 숙성 기간에 따른 비휘발성 유기산의 변화
염도를 달리한 무우 김치 (동치미,짠지)의 숙성 기간에 따른 비휘발성 유기산의 변화
지옥화, 594.353-지'65여-TM | 충남대학교 대학원 | 1987 594.353-지'65여-TM,
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자소자 첨가 동치미의 유리당, 유리아미노산, 비휘발성 유기산 및 휘발성 향기성분
자소자 첨가 동치미의 유리당, 유리아미노산, 비휘발성 유기산 및 휘발성 향기성분
황재희, 장명숙, | 한국조리과학회 | 2003 ,
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고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성
고유전율 AIN 절연층을 사용한 비휘발성 강유전체 메모리용 MFIS 구조의 제작 및 특성
정순원, 김광호, 구경완, | 대한전자공학회 | 2001 ,
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비휘발성 강유전체 메모리(FeRAM) 기술의 현황 및 전개 동향 : 반도체 메모리 소자 기술-소특집
비휘발성 강유전체 메모리(FeRAM) 기술의 현황 및 전개 동향 : 반도체 메모리 소자 기술-소특집
윤성민,유병곤, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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