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7 Results:SS:반도 PP:경희대학교 대학원 0.93 sec.
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실리콘 表面의 電子的 特性
실리콘 表面의 電子的 特性
황기석, 461.7-황18시-TM | 慶熙大學校 大學院 | 1989 461.7-황18시-TM,
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(The)Preparation and effect of photoelectrochemical electrode for photocleavage of water
(The)Preparation and effect of photoelectrochemical electrode for photocleavage of water
Kim, Ki Sun, 431.477-K49p-TD | 慶熙大學校 大學院 | 1989 431.477-K49p-TD,
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반도체 表面의 電子구조 = Electronic structures of Semiconductor surfaces
반도체 表面의 電子구조 = Electronic structures of Semiconductor surfaces
이준호, 569.4-이`76바-TM | 慶熙大學校 大學院 | 1990 569.4-이`76바-TM,
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V2O2-TeO2-PbO系 유리 半導體의 電氣傳導에 關한 硏究
V2O2-TeO2-PbO系 유리 半導體의 電氣傳導에 關한 硏究
황인숙, 427.62-황68v-TM | 慶熙大學校 大學院 | 1981 427.62-황68v-TM,
5
V205-P205계 산화물 유리반도체의 HALL효과 측정 연구
V205-P205계 산화물 유리반도체의 HALL효과 측정 연구
이재형, 427.62-이`73v-TM | 慶熙大學校 大學院 | 1983 427.62-이`73v-TM,
6
초고진공 Scaning tunneling microscope(STM)제작
초고진공 Scaning tunneling microscope(STM)제작
박갑석, 569.4-박12초-TM | 慶熙大學校 大學院 | 1990 569.4-박12초-TM,
7
(The) Preparation and effect of photoelectrochemical electrode for photocleavage of water
(The) Preparation and effect of photoelectrochemical electrode for photocleavage of water
Kim, Ki Sun, 569.4-K49p-TD | 慶熙大學校 大學院 | 1989 569.4-K49p-TD,
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