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1 Results:SS:면적 PP:대한전자공학회 AA:강근구, 장명준, 이원창 0.93 sec.
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코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
코발트 실리사이드 접합을 사용하는 0.15㎛ CMOS Technology에서 얕은 접합에서의 누설 전류 특성 분석과 실리사이드에 의해 발생된 Schottky Contact 면적의 유도
강근구, 장명준, 이원창, | 대한전자공학회 | 2002 ,
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