본문

  1. Home
5 Results:AA:홍성의 0.62 sec.
RSS 
다국어입력
 상세검색
 신착검색
선택출력 선택엑셀내보내기
1
실리콘 기판위에 플라즈마 분자선 에피택시를 이용하요 성장된 질화알루미늄 박막의 특성분석
실리콘 기판위에 플라즈마 분자선 에피택시를 이용하요 성장된 질화알루미늄 박막의 특성분석
홍성의(Sung Ui Hong), | 한국전기전자재료학회 | 2000 ,
2
반도체 : PAMBE 를 이용하여 성장된 AlN 박막의 미세구조에 미치는 Al / N 비율영향
반도체 : PAMBE 를 이용하여 성장된 AlN 박막의 미세구조에 미치는 Al / N 비율영향
홍성의(Sung Ui Hong), | 한국전기전자재료학회 | 2001 ,
3
회피비용을 고려한 EGEAS 모형 개발과 전원개발계획의 최적화
회피비용을 고려한 EGEAS 모형 개발과 전원개발계획의 최적화
이재관, 홍성의, | 한국경영과학회 | 2000 ,
4
암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성
암모니아를 이용하여 분자선에피탁시 방법으로 AlN/Si 기판에 성장시킨 GaN의 구조적, 광학적 특성
김경현, | 한국재료학회 | 2002 ,
5
MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
MBE로 성장된 Al0.25Ga0.75As/In0.2Ga0.8As pHEMT 에피구조의 RTA에 따른 전도 특성
김경현, | 한국전기전자재료학회 | 2006 ,
처음1마지막